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MOSFET CoolSiC™ XHP™ 2 da 2.300 V
I MOSFET di Infineon Technologies offrono una topologia a semiponte in un contenitore standardizzato a bassa induzione
Il modulo MOSFET CoolSiC XHP 2 di Infineon Technologies da 2.300 V, 1,0 mΩ offre una topologia a semiponte in un contenitore standardizzato a bassa induzione. Sfrutta la robusta tecnologia di interconnessione .XT per una maggiore durata e la migliore affidabilità della categoria ed è disponibile anche con materiale di interfaccia termica (TIM) preapplicato per semplificare l'assemblaggio e migliorare l'uniformità termica.
Caratteristiche
- MOSFET CoolSiC da 2,3 kV gate trench con stabilità e affidabilità a lungo termine comprovate sul campo
- Basse perdite di commutazione e conduzione con RDS(ON) fino a 1,0 mΩ (a +25 °C)
- Contenitore XHP 2 a bassa induzione standardizzato
- Tecnologia di interconnessione .XT per un'affidabilità di prim'ordine e una durata utile prolungata
Applicazioni
- Sistemi di immagazzinaggio dell'energia
- Trazione
- Energie rinnovabili
- Inverter fotovoltaici
XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - Immediatamente | $3,723.54 | Vedi i dettagli |
| | FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - Immediatamente | $3,157.36 | Vedi i dettagli |
| | FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 3 - Immediatamente | $2,525.38 | Vedi i dettagli |
| | FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - Immediatamente | $2,552.86 | Vedi i dettagli |
Data di aggiornamento: 2026-02-05
Data di pubblicazione: 2026-01-22
Svizzera