DDR2 SDRAM per test industriali ed estesi

NDB16P è una DRAM sincrona CMOS DDR2 ad alta velocità controllata con insignis' flusso di prova esteso proprietario per mitigare i guasti precoci della vita, garantendo qualità premium e affidabilità a lungo termine per uso industriale. Questi dispositivi sono progettati per la conformità alle caratteristiche chiave delle DDR2 DRAM, come CAS# con latenza aggiuntiva, latenza di scrittura = latenza di lettura -1 e terminazione on-die (ODT).

Tutti gli ingressi di controllo e di indirizzo sono sincronizzati con una coppia di clock differenziali forniti esternamente. Gli ingressi sono bloccati sul crosspoint dei clock differenziali (CK in aumento e CK# in caduta). Tutti gli I/O sono sincronizzati con una coppia di strobe bidirezionali (DQS e DQS#) di tipo a sorgente sincrona.

Il funzionamento interlacciato dei banchi di memoria consente di eseguire operazioni di accesso casuale a una velocità superiore rispetto a quella consentita dalle DRAM standard. È possibile abilitare una funzione di precarica automatica per assicurare una precarica auto-temporizzata delle righe che si avvia al termine della sequenza di burst. È possibile ottenere una velocità di trasmissione sequenziale e senza vuoti a seconda della lunghezza del burst, della latenza CAS e del grado di velocità del dispositivo.