DDR3/3L SDRAM per test industriali ed estesi di Insignis

I dispositivi di test industriali ed estesi sono DRAM sincrone DDR3/3L ad alta velocità controllate dal flusso di test estesi proprietario di Insignis per mitigare i guasti precoci, garantendo una qualità eccellente e l'affidabilità a lungo termine per l'uso industriale. Il chip è progettato per la conformità con tutte le principali funzioni della DRAM DDR3L, inclusa la piena compatibilità con le versioni precedenti alla DDR3, con l'unica eccezione della tensione richiesta tra la parte DDR3 da 1 Gb e la parte DDR3L da 1 Gb. Tutti gli ingressi di controllo e di indirizzo sono sincronizzati con una coppia di clock differenziali forniti esternamente. Gli ingressi sono bloccati sul crosspoint dei clock differenziali (CK in aumento e CK# in caduta). Tutti gli I/O sono sincronizzati con la coppia DQS differenziale in modalità sorgente sincrona.

Tutte le parti DDR3 da 2 Gb sono coperte da DDR3L da 2 Gb. Le parti DDR3 e DDR3L da 2 Gb funzionano con una singola alimentazione da +1,35 V a 0,067 V/+0,1 V. Le parti DDR3 da 1 Gb hanno una tensione richiesta di 1,5 V, mentre le parti DDR3L da 1 Gb hanno una tensione richiesta di 1,35 V. Tutte le parti sono disponibili in contenitori BGA.