ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

SDRAM DDR3

ISSI offre la SDRAM DDR3 con una velocità dati fino a 2133 Mbps

Immagine della SDRAM DDR3 di ISSICon una delle offerte più ampie di prodotti DRAM del settore, ISSI offre una soluzione di alta qualità per una varietà di applicazioni. Il flusso di lavoro standard di ISSI include test di burn-in, a caldo e a freddo al 100%. L'impegno dell'azienda al supporto a lungo termine dei prodotti DRAM li rende ideali in applicazioni automotive, industriali, medicali e di comunicazioni in cui la durata è essenziale. Il portafoglio di DRAM di ISSI include EDO/FP, SDR, DDR, DDR2, SDR mobile, DDR mobile, RLDRAM® 2/3 e ora DDR3.

Caratteristiche
  • Eccitazione dati differenziali bidirezionali
  • Mascheramento dati per byte su comandi di scrittura
  • Durata di burst programmabile da 4 a 8
  • Latenza CAS programmabile
  • Modalità di aggiornamento automatico e auto-aggiornamento
  • OCD (regolazione del circuito di pilotaggio)
  • ODT (On Die Termination) supportato
  • Livellamento in scrittura
  • Contenitori: BGA 96 sfere per x16, BGA 78 sfere per x8
  • Supporto a lungo termine
Applicazioni
  • Telecom e reti
    • Nodi di accesso
    • Nodi di aggregazione
    • Router e switch
    • Trasporto ottico di pacchetti
    • Storage di rete [PON OLT, DSLAM, CMTS, wireless]
  • Automotive
    • Infotainment
    • Telematica
    • Sistemi di informazione per il conducente
  • Industriale
    • Interfaccia uomo-macchina (HMI)
    • Dispositivi di calcolo embedded

DDR3 SDRAM

ImmagineCodice produttoreDescrizioneOrganizzazione della memoriaInterfaccia di memoriaTensione - AlimentazioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16128BL-125KBLIC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA128M x 16Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16256AL-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA256M x 16Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512AL-125KBLIIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128B-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512A-125KBLIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640B-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280B-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128BL-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR82560B-125KBLIIC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA256M x 8Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Parallelo1,425 ~ 1,575V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120AL-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8Parallelo1,283 ~ 1,45V0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2017-05-16

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