Driver IGBT e MOSFET SiC low-side a 9 A IX4352NE

Il gate driver IX4352NE di IXYS, una tecnologia Littelfuse, è progettato specificamente per pilotare IGBT ad alta potenza e MOSFET SiC. Le uscite source e drain a 9 A separate consentono la temporizzazione personalizzata di accensione e spegnimento, al contempo riducendo al minimo le perdite di commutazione. Un regolatore di carica negativa interno fornisce una polarizzazione negativa del gate driver selezionabile dall'utente per una migliore immunità dv/dt e uno spegnimento più rapido.

Il circuito di rilevamento della desaturazione rileva una condizione di sovracorrente del MOSFET SiC e avvia uno spegnimento graduale, evitando così un evento dV/dt potenzialmente dannoso. L'ingresso logico non invertente (IN) è compatibile con TTL e CMOS; i traslatori di livello interni forniscono la polarizzazione necessaria per gestire le tensioni di polarizzazione negative di pilotaggio del gate. Le caratteristiche di protezione aggiuntive includono rilevamento di blocco di sottotensione (UVLO) e arresto termico. Un'uscita FAULT a drain aperto segnala una condizione di guasto al microcontroller.