MOSFET discreti HiPerFET™ X3 a ultragiunzione da 600 V

IXYS, una tecnologia Littelfuse, offre MOSFET a ultragiunzione a canale N che forniscono un'eccellente cifra di merito (RDSon per Q_g), che si traduce in perdite di conduzione e di commutazione più basse, consentendo valori di densità di potenza ed efficienza energetica più elevati nei sistemi di alimentazione. I più recenti MOSFET di potenza di classe X3 a ultragiunzione presentano resistenza di canale RDSon e carica dl gate Q_g significativamente ridotte. Questa famiglia mostra una significativa riduzione della cifra di merito (FOM) (RDSon x Q_g) rispetto alla classe X2 precedente. Questi vantaggi consentono ai progettisti di ottenere una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza. Questa serie di MOSFET di potenza HiPerFET™ è dotata di body diode che offrono bassa carica di recupero inverso (Q_RM) e breve tempo di recupero inverso (t_rr). I MOSFET da 600 V di classe X3 a ultragiunzione possono essere utilizzati per applicazioni che includono il raddrizzamento sincrono per alimentatori per telecomunicazioni, controllo motori, gruppi di continuità, convertitori c.c./c.c., inverter solari e inverter multilivello.

Risorse

• Prodotti a semiconduttore di potenza - Catalogo prodotti
• Comandi di motori industriali e dispositivi di avviamento statico
• Illuminazione a LED intelligente