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Diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni
I diodi SiC di MCC sono adatti per inverter per il controllo del movimento e solari, UPS, stazioni base per telecomunicazioni, PFC e illuminazione
I diodi Schottky SiC ad alte prestazioni di Micro Commercial Components forniscono prestazioni ad alta efficienza e ad alta temperatura fino a +175 °C. Questi diodi, insieme ai MOSFET a super giunzione da 650 V, creano una soluzione discreta completa ed economicamente vantaggiosa. Questi diodi SiC sono disponibili nelle versioni a 650 V (2 A/4 A) e 1200 V (2 A/5 A/10 A/20 A). Contenitori disponibili: TO-220, TO-247 e DPAK; altri livelli di corrente e alloggiamenti sono in fase di qualificazione. Le applicazioni tipiche di questi diodi SiC sono gli inverter per il controllo del movimento e solari, UPS, stazioni base per telecomunicazioni, correzione del fattore di potenza (PFC) e applicazioni di illuminazione.
Caratteristiche
- Perdita di commutazione estremamente bassa
- Frequenza di commutazione superiore
- Coefficiente di temperatura positivo per applicazione in parallelo
- Maggiore efficienza rispetto ai diodi Schottky standard
- Temperatura di lavoro superiore fino a +175 °C
- Tensione superiore fino a 1200 V
Applicazioni
- Inverter per controlli di movimento e solari
- UPS
- Stazioni base per telecomunicazioni
- PFC e applicazioni di illuminazione
Data di pubblicazione: 2020-08-27
