Diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni

I diodi SiC di MCC sono adatti per inverter per il controllo del movimento e solari, UPS, stazioni base per telecomunicazioni, PFC e illuminazione

Immagine dei diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) ad alte prestazioni di MCCI diodi Schottky SiC ad alte prestazioni di Micro Commercial Components forniscono prestazioni ad alta efficienza e ad alta temperatura fino a +175 °C. Questi diodi, insieme ai MOSFET a super giunzione da 650 V, creano una soluzione discreta completa ed economicamente vantaggiosa. Questi diodi SiC sono disponibili nelle versioni a 650 V (2 A/4 A) e 1200 V (2 A/5 A/10 A/20 A). Contenitori disponibili: TO-220, TO-247 e DPAK; altri livelli di corrente e alloggiamenti sono in fase di qualificazione. Le applicazioni tipiche di questi diodi SiC sono gli inverter per il controllo del movimento e solari, UPS, stazioni base per telecomunicazioni, correzione del fattore di potenza (PFC) e applicazioni di illuminazione.

Caratteristiche
  • Perdita di commutazione estremamente bassa
  • Frequenza di commutazione superiore
  • Coefficiente di temperatura positivo per applicazione in parallelo
  • Maggiore efficienza rispetto ai diodi Schottky standard
  • Temperatura di lavoro superiore fino a +175 °C
  • Tensione superiore fino a 1200 V
Applicazioni
  • Inverter per controlli di movimento e solari
  • UPS
  • Stazioni base per telecomunicazioni
  • PFC e applicazioni di illuminazione

High-Performance Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
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Data di pubblicazione: 2020-08-27