MOSFET a canale P MCAC3D0P03L-TP da 30 V in contenitore DFN5060

Il MOSFET a canale P da 30 V MCAC3D0P03L-TP di MCC offre 3,0 mΩ e 40 A in un contenitore compatto di 5 mm x 6 mm per la commutazione high-side ad alta corrente

Immagine del MOSFET a canale P MCAC3D0P03L-TP da 30 V di MCC in contenitore DFN5060MCAC3D0P03L-TP di Micro Commercial Components (MCC) è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni in un contenitore DFN5060 salvaspazio. Questo dispositivo è stato concepito per semplificare la progettazione degli interruttori high-side, combinando una bassa resistenza nello stato On di 3,0 mΩ con una notevole corrente nominale continua di 120 A. Offre ai progettisti una soluzione compatta e ad alta efficienza per il controllo dei rail di alimentazione in applicazioni con vincoli di spazio.

Caratteristiche

  • Presenta una bassa RDSon di 3,0 mΩ (max) a VGS=10 V, riducendo al minimo le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza complessiva del sistema
  • Tecnologia MOSFET LV trench ottimizzata per basse perdite di commutazione e maggiori efficienze
  • La minore resistenza termica di 0,82 °C/W tra giunzione e involucro consente di trasferire efficacemente il calore alla PCB. Questo permette un funzionamento stabile ad alti livelli di potenza senza un immediato arresto termico
  • La tensione di drain-source (VDS) di 30 V è ideale per le applicazioni con bus di alimentazione a 12 V e offre un ampio margine di funzionamento
Applicazioni
  • Distribuzione dell'energia elettrica e commutazione del carico nei server, nei sistemi di immagazzinaggio e nelle apparecchiature di rete
  • BMS
  • Unità di gestione dell'alimentazione
  • Convertitori c.c./c.c.

MCAC3D0P03L-TP 30 V P-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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P-CHANNEL MOSFET,DFN5060
MCAC3D0P03L-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN50604887 - Immediatamente$1.00Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2025-12-08