MOSFET a canale N da 40 V MCAC4D4N04YL-TP in contenitore DFN5060

I MOSFET a canale N da 40 V, 4,4 mΩ di MCC sono ideali per commutazione ultracompatta ad alta corrente

Immagine del MOSFET a canale N da 40 V MCAC4D4N04YL-TP di MCC (Micro Commercial Components) in un contenitore DFN5060 Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni MCAC4D4N04YL-TP di Micro Commercial Components è disponibile in un contenitore DFN5060 miniaturizzato. Questo dispositivo funziona con una bassissima resistenza nello stato On, pari a 4,4 mΩ, offrendo una densità di potenza e un'efficienza senza pari per le applicazioni più impegnative con vincoli di spazio.

Caratteristiche
  • Tecnologia MOSFET Split-Gate Trench ottimizzata per bassa resistenza nello stato On e alta velocità di commutazione
  • Offre bassa RDS(ON) di 4,4 mΩ (max) con VGS = 10 V, in grado di ridurre al minimo le perdite di conduzione, ridurre la generazione di calore e migliorare l'efficienza complessiva del sistema
  • A norma RoHS e senza alogeni, in linea con gli standard ambientali globali e le iniziative di produzione ecologica
  • La tensione drain-source (VDS) nominale di 40 V offre un ampio margine per gestire i picchi di tensione e le sovraoscillazioni nelle applicazioni che funzionano con sistemi di batterie standard da 12 V
  • La bassa resistenza termica di +2,97°C/W giunzione-involucro contribuisce a migliorare il trasferimento di calore e favorisce un funzionamento stabile in condizioni di alimentazione più elevata
  • Massima temperatura di giunzione estesa TJ (max) di +175 °C per applicazioni industriali pesanti
  • Il contenitore DFN5060 è progettato per applicazioni termiche complesse e con vincoli di spazio
Applicazioni
  • SMPS
  • Convertitori c.c./c.c.
  • BMS
  • Controlli e comandi di motori industriali
  • Distribuzione di potenza e relè a stato solido

MCAC4D4N04YL-TP 40 V N-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
MCAC4D4N04YL-TPN-CHANNEL MOSFET,DFN50609990 - Immediatamente$0.44Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2026-01-28