ASFET automotive per eventi di valanga ripetitiva

Gli ASFET (transistor a effetto di campo specifici per applicazione) automotive di Nexperia ottimizzano i MOSFET per gestire comodamente le correnti di valanga ripetitiva mantenendo una temperatura di giunzione inferiore a 175 °C, proponendosi come un dispositivo robusto che assicura numerosi risparmi a livello di sistema. Quando si utilizzano MOSFET per alimentare carichi induttivi come il pilotaggio di solenoidi, la maggior parte dei progetti di circuiti include componenti aggiuntivi per proteggere il MOSFET quando la corrente di carico continua a fluire durante lo spegnimento. Si va dalle topologie boost altamente efficienti ma costose che riutilizzano l'energia, all'approccio meno efficiente ma più economico che consiste nell'uso di un diodo a ruota libera. La semplice opzione alternativa di un allestimento a valanga ripetitiva storicamente è stata sempre possibile solo utilizzando la tecnologia planare, ma gli ASFET automotive di Nexperia offrono una moderna alternativa Trench.

Caratteristiche e vantaggi

• Prestazioni di valanga ripetitiva garantite, testate fino a 1 miliardo di cicli
• La robusta tecnologia al silicio combinata con le prestazioni termiche di LFPAK, assicura che la temperatura del die rimanga al di sotto di +175 °C
• La semplicità d'uso di un singolo MOSFET riduce la complessità del circuito e la distinta base, offrendo risparmi in termini di spazio e costi del sistema
• Moderna alternativa Trench alle vecchie tecnologie planari
• Offre una maggiore efficienza e una commutazione più rapida rispetto all'approccio con diodo a ruota libera

Risorse

• AN50003: Pilotaggio di solenoidi in applicazioni automotive
• AN10273: Classificazione robustezza valanga impulsiva e ripetitiva MOSFET di potenza