PSMNxRx MOSFET per la gestione dell'alimentazione

Le soluzioni MOSFET di Nexperia hanno potenziato l'area operativa sicura (SOA) per applicazioni di sostituzione a caldo e avvio graduale

Immagine dei MOSFET PSMNxRx di Nexperia per la gestione dell'alimentazioneI MOSFET a canale N ad alte prestazioni PSMN2R3-100SSE e PSMN1R9-80SSE di Nexperia sono progettati per garantire efficienza e affidabilità superiori nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione. Questi MOSFET fanno parte dei MOSFET specifici per applicazioni (ASFET) di Nexperia per sostituzione a caldo e avvio graduale, caratterizzati da prestazioni potenziate nell'ambito dell'area operativa sicura (SOA). PSMN2R3-100SSE offre una tensione massima di drain-source (VDS) di 100 V e una RDSon bassissima di 2,3 mΩ, mentre PSMN1R9-80SSE fornisce una VDS di 80 V e una RDSon di 1,9 mΩ. Entrambi i dispositivi sono alloggiati nel contenitore LFPAK88 (SOT1235) compatto e altamente affidabile, che garantisce eccellenti prestazioni termiche e robustezza. Questi MOSFET sono ideali per applicazioni quali sostituzione a caldo, interruttore di carico, avvio graduale e fusibile elettronico in sistemi di telecomunicazione e informatici basati su un backplane o un rail di alimentazione a 48 V. Grazie alle basse perdite di conduzione, alla capacità di gestione dell'alta corrente e al robusto funzionamento lineare, i modelli PSMN2R3-100SSE e PSMN1R9-80SSE sono la scelta perfetta per progetti di gestione dell'alimentazione particolarmente esigenti.

Caratteristiche
  • SOA potenziata per un funzionamento lineare superiore
  • Bassa RDSon per perdite di conduzione ridotte
  • Elevata capacità di corrente di drain (ID): 255 A (PSMN2R3-100SSE), 286 A (PSMN1R9-80SSE)
  • Tensione massima di drain-source (VDS): 100 V (PSMN2R3-100SSE), 80 V (PSMN1R9-80SSE)
  • Contenitore compatto LFPAK88 (SOT1235)
  • Elevate prestazioni termiche con design a clip in rame
  • Bassa carica del gate (QG): 161 nC (PSMN2R3-100SSE), 155 nC (PSMN1R9-80SSE)
  • Elevata capacità di dissipazione di potenza: 341 W (PSMN2R3-100SSE), 340 W (PSMN1R9-80SSE)
  • Bassa tensione di soglia del gate (VGS(th)). 2,6 V
  • Ad alta affidabilità e robustezza
  • Qualificato per una temperatura di funzionamento della giunzione fino a +175 °C
  • Bassa carica di recupero inverso (Qrr)
  • Idoneo per applicazioni ad alta densità
  • A norma RoHS e senza piombo
Applicazioni
  • Sostituzione a caldo
  • Commutazione del carico
  • Avvio graduale
  • Fusibili elettronici
  • Sistemi di telecomunicazione
  • Sistemi informatici
  • Sistemi di gestione dell'alimentazione
  • Convertitori c.c./c.c.
  • Sistemi di gestione delle batterie
  • Automazione industriale
  • Prodotti elettronici consumer
  • Elettronica automotive
  • Sistemi a energia rinnovabile
  • Comandi di motori
  • Sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS)

PSMNxRx MOSFETs for Power Management

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPSMN2R3-100SSEJAPPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE0 - Immediatamente$6.73Vedi i dettagli
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPSMN1R9-80SSEJAPPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE0 - Immediatamente$6.73Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2025-08-05