Transistor CW a 750 W MRF13750H

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            Transistor CW a 750 W MRF13750H
  
                    Il transistor LDMOS di potenza RF MRF13750H di NXP Semiconductor è progettato per applicazioni industriali, scientifiche e medicali (ISM) nel campo di frequenza da 700 MHz a 1300 MHz

Immagine del transistor CW a 750 W MRF13750H di NXP Semiconductor Il transistor MRF13750H di NXP Semiconductor offre 750 W in CW per applicazioni a 915 MHz. Questo dispositivo può essere utilizzato per applicazioni a onda continua e viene fornito con protezione ESD integrata. È adatto per applicazioni lineari con polarizzazione appropriata e ingresso compensato internamente per facilità d'uso. Questo dispositivo può essere utilizzato per sostituire i tubi ad alta potenza a magnetron offrendo maggiore affidabilità e controllo. Il transistor di potenza MRF13750H offre il preciso controllo dell'alimentazione sull'intero intervallo da 700 a 1300 MHz.

Caratteristiche

Applicazioni

Ingresso compensato internamente per facilità d'uso
Può essere utilizzato in configurazione push-pull o a terminazione singola
Idoneo per applicazioni lineari con polarizzazione appropriata
Protezione ESD integrata
Incluso nel programma di longevità del prodotto di NXP, che ne garantisce la fornitura per un minimo di 15 anni
Guadagno: 19,5 dB