Transistor RF MRF300AN/MRF300BN

Transistor LDMOS RF qualificato di NXP è disponibile in contenitori standard del settore TO-247 e TO-220

Immagine dei transistor RF MRF300AN e MRF300BN di NFP SemiconductorsI transistor RF MRF300AN e MRF300BN di NXP Semiconductors sono progettati per l'uso in applicazioni industriali, scientifiche e medicali ad alto ROS in tensione. Inoltre, possono essere utilizzati nelle comunicazioni HF e VHF, nonché nelle trasmissioni radio e TV VHF. Il design dell'ingresso e dell'uscita di MRF300AN e MRF300BN consente l'uso di un'ampia gamma di frequenze da 1,8 a 250 MHz e sono supportati da circuiti di riferimento compatti.

Caratteristiche Applicazioni
  • Ingresso e uscita disaccoppiati che consentono l'uso di un ampio intervallo di frequenze
  • Due versioni di connessione pin opposte (A e B) da utilizzare in una configurazione push-pull e two-up per prestazioni a banda larga
  • Tensione nominale da 30 a 50 V
  • Adatto per applicazioni lineari
  • Protezione ESD integrata con intervallo di tensione di gate-source negativa maggiore per un migliore funzionamento di classe C
  • Fornitura garantita per un minimo di 15 anni dopo il lancio, come parte del programma di longevità del prodotto di NXP
  • A norma RoHS
  • Segmenti di mercato industriale, scientifico e medicale (ISM)
  • Comunicazioni HF/VHF
  • Trasmissione
  • Alimentatori a commutazione

MRF300AN and MRF300BN RF Transistors

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300ANRF MOSFET LDMOS 50V TO247477 - Immediatamente$66.42Vedi i dettagli
RF MOSFET LDMOS 50V TO247MRF300BNRF MOSFET LDMOS 50V TO247219 - Immediatamente$65.75Vedi i dettagli

Evaluation Boards

ImmagineCodice produttoreDescrizioneDotazioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330WMRF300A-40MHZMRF300A REF BOARD 40.68MHZ 330WScheda/e0 - Immediatamente$262.50Vedi i dettagli
MRF300AN REF BRD 27MHZ 330WMRF300A-27MHZMRF300AN REF BRD 27MHZ 330WScheda/e0 - Immediatamente$262.50Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2018-08-22