EliteSiC di onsemi

Ha sviluppato una supply chain interna per assicurare la fornitura di dispositivi SiC ai clienti, per sostenere la rapida crescita dell'ecosistema sostenibile.

EliteSiC di onsemi risponde alle esigenze di applicazioni complesse come inverter solari, caricabatterie per veicoli elettrici e gruppi di continuità. I dispositivi sono un portafoglio completo di gate driver, moduli, MOSFET e diodi al carburo di silicio (SiC) ad alta efficienza energetica.

Caratteristiche

  • Qualità comprovata/progettazione planare robusta
    • Controllo in processo e burn-in
    • Scansione dei difetti durante la produzione
    • Tutti i die testati a valanga al 100%
    • Nessuna deriva nella soglia o nei parametri
    • Ossido del gate ad alta affidabilità
    • Qualificazione automotive AEC-Q100
  • I migliori strumenti di progettazione della categoria
    • Modelli di simulazione fisicamente accurati e scalabili
    • Note applicative e guide alla progettazione
  • Produzione completamente integrata
    • Dalla polvere ai prodotti
  • Grado automotive o industriale per tutti i valori e i contenitori
  • Offerta SiC di 3a generazione
    • Ottimizzato per la dipendenza per l'alta temperatura
      • Diodi, bassa dipendenza dalla temperatura della resistenza in serie
      • MOSFET, recupero inverso stabile in temperatura
    • Capacità parassite migliorate per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza
    • Disponibile die di grandi dimensioni con bassa RDSon
  • Ampia offerta di Power Integrated Module (PIM) standard e personalizzati
  • Disponibile ampio portafoglio di tensioni e valori di RDSon in contenitori a 3 e 4 conduttori

Altre risorse

Webinar sul SiC con Hunter Freberg

Diodi

Questi prodotti utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità al silicio.

MOSFET

Questi prodotti sono progettati per essere veloci e robusti e offrono vantaggi di sistema che vanno dall'alta efficienza alla riduzione di dimensioni e costi del sistema.

IGBT

Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) che offrono la massima affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.

Diodi

Questi prodotti utilizzano una tecnologia completamente nuova che offre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità al silicio.

D1

Caratteristiche:

  • Tensioni di 650 V, 1200 V e 1700 V
  • Contenitori D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3
  • Die di grandi dimensioni con bassa resistenza termica (Rth)
  • Ottimizzato per alta sovracorrente transitoria diretta (IFSM) non ripetitiva
  • Applicazioni di stadi di ingresso del raddrizzatore Vienna

D2

Caratteristiche:

  • Tensione 650 V
  • Contenitori DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, TO-247-3
  • Bassa carica capacitiva (QC)
  • Ottimizzato per la commutazione ad alta velocità con bassa tensione diretta
  • Applicazioni di raddrizzamento di uscita e PFC

D3

Caratteristiche:

  • Tensione 1200 V
  • Contenitori TO-247-2LD, TO-247-3LD
  • Bassa carica capacitiva (QC) e tensione diretta (VF)
  • Ottimizzato per il funzionamento ad alte temperature con una bassa dipendenza dalla temperatura della resistenza in serie
  • Applicazioni di raddrizzamento di uscita e PFC di maggiore potenza

MOSFET

Questi prodotti sono progettati per essere veloci e robusti e offrono vantaggi di sistema che vanno dall'alta efficienza alla riduzione di dimensioni e costi del sistema.

M1

Caratteristiche:

  • Tensioni di 1200 V e 1700 V
  • Contenitori die nudo, D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Tensione gate-source massima +22 V/-10 V
  • Bassa RDSon e alta resistenza ai cortocircuiti (SCWT)
  • Equilibrio tra perdite di commutazione e perdite di conduzione
  • Può essere utilizzato per sostituire gli IGBT da 1200 V

M2

Caratteristiche:

  • Tensioni di 650 V, 750 V e 1200 V
  • Contenitori D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Tensione gate-source massima +22 V/-8 V
  • Bassa RDSon e alta resistenza ai cortocircuiti (SCWT)
  • Ottimizzato per la più bassa RDSon per applicazioni a bassa velocità di commutazione
  • Può essere utilizzato per sostituire il SuperFET™

M3S

Caratteristiche:

  • Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione con topologie hard-switching
  • Perdite di commutazione totali (Etot) inferiori del ~40% rispetto a M1 da 1200 V, 20 mΩ
  • Applicazioni solari, caricatori di bordo e stazioni di ricarica EV
  • Nessuna capacità di cortocircuito

M3P

Caratteristiche:

  • Tensione 1200 V
  • Contenitori D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Tensione gate-source massima +22 V/-10 V
  • Capacità parassite (Coss, Ciss, Crss) migliorate
  • Ottimizzato per il funzionamento ad alta temperatura con recupero inverso stabile rispetto alla temperatura (M3S da 1200 V 22 mΩ ha Qrr ~46% inferiore a 1200 V 20 mΩ)
  • Può essere utilizzato per sostituire gli IGBT da 1200 V

IGBT

Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) che offrono la massima affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.

FS4

Caratteristiche:

  • Temperatura di giunzione massima TJ = 175 °C
  • Coefficiente di temperatura positivo per il funzionamento agevole in parallelo
  • Alta capacità di corrente
  • VCE(Sat) = 1,6 V (tip.) A IC = bassa tensione di saturazione fino a 75 A
  • 100% dei componenti testati per ILM
  • Commutazione veloce
  • Rigida distribuzione dei parametri
  • Nessun recupero inverso, nessun recupero diretto
  • Qualificato AEC-Q101 con supporto PPAP