Panasonic

Relè a semiconduttore PhotoMOS® HS WSSOP 1 Form A a basso C x R

I relè a semiconduttore PhotoMOS di Panasonic, con ingombro compatto e basso consumo di corrente, sono idonei per applicazioni di test e misurazione

Immagine dei relè a semiconduttore PhotoMOS® HS WSSOP di PanasonicI relè a semiconduttore PhotoMOS HS WSSOP 1 Form A a basso C x R di Panasonic sono disponibili in un contenitore WSSOP miniaturizzato di 1,45 mm x 2,2 mm x 1,75 mm per un montaggio ad alta densità. Il dispositivo PhotoMOS HS WSSOP è caratterizzato da un basso consumo di corrente, alte temperature di funzionamento, elevate velocità di commutazione ed eccellenti caratteristiche di passaggio ad alta frequenza, quali una bassa capacità di uscita e una bassa resistenza nello stato On.

I relè a semiconduttore PhotoMOS HS WSSOP hanno una bassa dispersione di 10 nA, una capacità di uscita tipica di 16 pF e una resistenza nello stato On tipica di 0,75 ohm. Con un'uscita di carico nominale di 40 V e 0,35 A, questo dispositivo è adatto a tester IC, tester per schede, schede di tastatura e altre apparecchiature di misura.

Caratteristiche e vantaggi
  • Contenitore WSSOP miniaturizzato per un montaggio ad alta densità
  • Basso consumo di corrente di 0,15 mA per il risparmio energetico
  • Alte prestazioni della temperatura di funzionamento di +125 °C
  • Elevate velocità di commutazione a 0,025 ms per una maggiore capacità di throughput
Settori
  • Test e misurazione
  • Telecomunicazioni
  • Automazione di fabbrica
Applicazioni
  • Tester per circuiti integrati, schede di tastatura e tester di scheda
  • Apparecchiature per telecomunicazioni
  • Apparecchiature industriali

PhotoMOS® HS WSSOP 1 Form A Low C x R Semiconductor Relays

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
PHOTOMOS HS WSSOP 1 FORM A LOW CAQY231R1W1YPHOTOMOS HS WSSOP 1 FORM A LOW C11 - Immediatamente$9.02Vedi i dettagli
PHOTOMOS HS WSSOP 1 FORM A LOW CAQY231R1WYPHOTOMOS HS WSSOP 1 FORM A LOW C0 - Immediatamente$5.98Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2025-01-08

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