Panasonic

MOSFET di potenza CSP

Avanzata tecnologia di silicio a cella di trincea sottile (110 nm) di Panasonic

Immagine dei MOSFET di potenza CSP di PanasonicPanasonic, leader mondiale per i prodotti a semiconduttore, ha annunciato le serie FJ3P02100L e FK3P02110L di MOSFET di potenza CSP. La serie di MOSFET di potenza CSP è confezionata in un CSP Power Mount (PMCP) che comprende una piazzola dal design unico e la tecnologia Drain Clip. Questo permette un miglioramento del 5% della dissipazione termica, riducendo contemporaneamente la dimensione dell'80% rispetto alle soluzioni tradizionali. I progressi di Panasonic nella tecnologia delle celle e la possibilità di fabbricare wafer più sottili hanno portato a realizzare silicio con una cella di trincea di 110 nm che offre una RDSon del 47% inferiore rispetto a un chip tradizionale delle stesse dimensioni. Mediante questa tecnologia, questa serie di MOSFET assicura una maggiore efficienza riducendo al contempo ridurre il consumo energetico.

Caratteristiche
  • Contenitore CSP Power Mount (PMCP) per un miglioramento del 5% della dissipazione termica, riducendo contemporaneamente la dimensione dell'80% rispetto alle soluzioni tradizionali
  • Qualificato AEC-Q101
  • La tecnologia del silicio a cella di trincea sottile fornisce una RDSon del 47% inferiore rispetto a un chip tradizionale a parità di dimensioni, risultando in un rendimento in potenza superiore riducendo al contempo il consumo energetico del sistema
  • Dimensioni: FJ3P02100L: 2,0 x 2,0 x 0,33 mm, FK3P02110L: 1,8 x 1,6 x 0,33 mm
  • RDSon: FJ3P02100L: 9,5 mΩ a Vgs=4,5 V (tipico), FK3P02110L: 12,5 mΩ a Vgs=2,5 V (tipico)
  • Senza alogeni e a norma RoHS, con bump di saldatura senza piombo


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Data di pubblicazione: 2013-07-02