MOSFET a supergiunzione a 600 V e 650 V

I MOSFET a supergiunzione di PANJIT sono ottimizzati per un supporto di progettazione semplice ed efficiente per la progettazione di circuiti di conversione di potenza in dispositivi come convertitori c.a./c.c. e c.c./c.c. I MOSFET a supergiunzione di prima generazione di PANJIT richiedono uno sforzo di progettazione minore da parte dei progettisti di sistema grazie alle corrette prestazioni di commutazione e alla bassa RDS_on, il che porta a una dimensione del sistema più piccola con una bassa dissipazione del calore sui MOSFET a supergiunzione PANJIT. La robustezza dei MOSFET a supergiunzione è anche un fattore chiave per progettare correttamente il sistema al fine di ottenere prestazioni di sistema più affidabili.

Il MOSFET a supergiunzione di PANJIT fornisce eccellenti prestazioni di robustezza di/dt dei body diode. L'elevata robustezza di questo body diode può rendere il sistema più affidabile in sistemi come LLC e convertitori a ponte intero a variazione di fase. riducono anche le complicazioni di progettazione per evitare condizioni di guasto del body diode in modo che il progettista può concentrarsi sulle prestazioni del sistema con un'eccellente robustezza del body diode. Una prestazione di commutazione molto stabile è una delle prestazioni chiave del MOSFET a supergiunzione di PANJIT. Il MOSFET a supergiunzione di PANJIT è stato sviluppato per il progetto incentrato su picchi di tensione e oscillazioni più bassi per aiutare il progettista a ottenere uno sforzo di progettazione PCB basso che può seguire la progettazione del sistema con una maggiore flessibilità. In questo modo il sistema con MOSFET a supergiunzione di PANJIT comporta uno stress EMI inferiore con prestazioni di sistema adeguate. Gli ingegneri e gli sviluppatori di ricerca e sviluppo possono massimizzare le prestazioni del sistema con grande affidabilità, ottenendo una maggiore durata di funzionamento con i MOSFET a supergiunzione di PANJIT.