Diodo a barriera di Schottky SiC Generation 1.5

Il diodo a barriera di Schottky (SBD) al carburo di silicio (SiC) Generation 1.5 di PANJIT è stato sviluppato per consentire agli ingegneri elettrotecnici di progettare sistemi a prestazioni più elevate con una dissipazione del calore inferiore. Un diodo a recupero rapido (FRD) ha una corrente di recupero inverso al momento dello spegnimento, generando perdite di commutazione aggiuntive quando l'interruttore principale è acceso. Al contrario, il diodo a barriera di Schottky non ha corrente di recupero inverso, quindi può essere utilizzato a una frequenza di commutazione più elevata, ma presenta lo svantaggio di una tensione di rottura inferiore a causa di una maggiore dispersione. I dispositivi SiC hanno un'energia di bandgap maggiore rispetto ai dispositivi al silicio, il che significa una corrente di dispersione molto bassa. I dispositivi SiC hanno una maggiore velocità degli elettroni, offrendo prestazioni di commutazione superiori rispetto ai dispositivi al silicio.

L'SBD SiC Gen.1.5 di PANJIT è ottimizzato per avere una bassa dipendenza dalla temperatura per la tensione diretta (V_F), pertanto le perdite di conduzione possono essere soppresse nel funzionamento a temperature più elevate. Ha una struttura a barriera di giunzione Schottky (JBS) con l'aggiunta di uno strato P+ sull'area di contatto metallica. Di conseguenza, la capacità di sovracorrente transitoria può essere notevolmente migliorata, il che è utile per garantire l'affidabilità a livello di sistema per il funzionamento del sistema con avviamento a freddo. La linea SBD SiC Gen.1.5 di PANJIT ha tensioni di rottura di 650 V e 1.200 V, correnti nominali da 4 A a 40 A e vari contenitori discreti come TO-220AC, TO-252AA e TO-247AD-3LD.