MRAM serie M1000/M3000

La MRAM non volatile ad alta velocità e ad alte prestazioni di Renesas offre un'affidabilità superiore

Immagine della MRAM serie M1000/M3000 di RenesasLa famiglia MRAM di RAM non volatile ad alta velocità e ad alte prestazioni da 108 MHz di Renesas offre un'affidabilità superiore e una conservazione dei dati superiore a 20 anni. Non richiede batterie di backup o condensatori rispetto alla SRAM non volatile. M30xx supporta le interfacce DDR e SDR Quad SPI, opera da -40 a +105 °C (versione industriale plus) ed è disponibile in contenitore SOIC o WSON. I dispositivi MRAM sono ideali per applicazioni di memoria non volatile ad alta velocità come la memorizzazione dei programmi e il backup dei dati.

Caratteristiche
  • Memoria non volatile
  • Alta resistenza: >10E16 cicli
  • Lunga conservazione dei dati: >20 anni
  • Lettura/scrittura veloci, scritture senza attesa
  • Protezione dei dati con modalità di protezione hardware (HPM), NVM speciale bloccabile/programmabile dall'utente e modalità di protezione software (SPM)
  • Nessuna alimentazione ausiliaria a batteria richiesta
  • Utilizza la tecnologia avanzata pMTJ STT-MRAM
  • Densità di memoria: da 4 a 16 Mb
  • Interfaccia Quad SPI ad alta velocità, modalità SDR fino a 108 MHz
  • Minima corrente attiva di scrittura e lettura
  • NVM bloccabile e programmabile dall'utente da 256 byte indipendente
  • Temperatura di funzionamento industriale: -40 ~ +105 °C
  • Tensione di alimentazione: 1,8, 3 V
  • Contenitore: SOIC a 8 pin e WSON a 8 piazzole
Applicazioni
  • Controlli e automazione industriale
  • Dispositivi medicali
  • Accessori indossabili
  • Sistemi di rete
  • Storage/RAID
  • Settore automotive

MRAM Microcontroller

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MRAM Evaluation Board

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Data di pubblicazione: 2020-06-17