ROHM Semiconductor

Gate driver a 1 canale da 2500 V rms BM6GD11BFJ-LB

Il gate driver BM6GD11BFJ-LB di ROHM con protezione UVLO offre prestazioni affidabili nelle applicazioni di alimentazione e apparecchiature industriali

Immagine del gate driver a 1 canale da 2500 V rms BM6GD11BFJ-LB di ROHMIl gate driver a 1 canale BM6GD11BFJ-LB di ROHM con isolamento incorporata è in grado di pilotare gli HEMT GaN ad alta velocità. Ha una tensione di isolamento di 2500 Vrms, un ritardo massimo di ingresso/uscita di 60 ns e una larghezza minima dell'impulso di ingresso di 65 ns. I pin del driver di uscita sui lati source e drain sono separati. Questi pin generano una forma d'onda di commutazione con velocità di variazione sui fronti di salita e discesa regolati individualmente inserendo un resistore tra i pin di gate dell'HEMT GaN. Inoltre, sul lato di ingresso (tra VCC1 e GND1) e sul lato di uscita (tra VCC2 e GND2) è integrata una funzione di blocco di sottotensione (UVLO).

Caratteristiche
  • Isolamento galvanico incorporato
  • Funzione UVLO
Applicazioni
  • Apparecchiature industriali
  • Applicazioni di pilotaggio del gate HEMT GaN
  • Adattatori c.a.
  • Alimentatori per server

BM6GD11BFJ-LB 2500 VRMS 1-Channel Gate Driver

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
ISOLATION VOLTAGE 2500VRMS 1CH GBM6GD11BFJ-LBE2ISOLATION VOLTAGE 2500VRMS 1CH G2416 - Immediatamente$2.14Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2025-09-22