CI per stadi di potenza EcoGaN™

Il CI per stadi di potenza di ROHM è dotato di un gate driver e di un HEMT GaN da 650 V incorporato. Questi dispositivi sono ideali per l'alimentazione primaria all'interno di applicazioni industriali e consumer, quali server di dati e adattatori c.a.. I settori consumer e industriale richiedono un maggiore risparmio energetico per realizzare una società sostenibile. Tuttavia, mentre si prevede che gli HEMT GaN contribuiranno in modo significativo a una maggiore miniaturizzazione e a una migliore efficienza di conversione della potenza, la difficoltà di gestire il gate rispetto ai MOSFET al silicio richiede l'uso di un gate driver dedicato. In risposta, ROHM ha sviluppato CI per stadi di potenza che integrano gli HEMT GaN e i gate driver in un unico contenitore sfruttando le tecnologie base analogiche e di potenza, facilitando notevolmente il montaggio.