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MOSFET a canale N RY7P250BM
Il MOSFET di potenza di ROHM Semiconductor è ideale per le applicazioni nei controller per sostituzione a caldo grazie al suo design robusto
RY7P250BM di ROHM Semiconductor è un MOSFET di potenza a canale N progettato con bassa resistenza nello stato On e alloggiato in un contenitore DFN8080-8S ad alta potenza. Questo componente è ideale per le applicazioni più esigenti, in particolare nei controller per sostituzione a caldo (HSC), grazie alla sua struttura robusta e all'ampia area operativa sicura (SOA).
Caratteristiche
- Bassa resistenza nello stato On
- Contenitore ad alta potenza (DFN8080)
- Placcatura senza piombo e a norma RoHS
- Senza alogeni
- Test Rg e UIS 100%
- Ampia SOA
Applicazioni
- Sistemi server IA a 48 V e circuiti di alimentazione con sostituzione a caldo per data center
- Sistemi di alimentazione per apparecchiature industriali a 48 V (carrelli elevatori, utensili elettrici, robot e motori di ventole)
- Apparecchiature industriali alimentate a batteria come i veicoli a guida automatica (AGV)
- Sistemi UPS e di alimentazione di emergenza (unità di alimentazione ausiliaria a batteria)
Data di aggiornamento: 2025-07-09
RY7P250BM N-Channel FET
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Tipo FET | Tecnologia | Tensione drain/source (Vdss) | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | RY7P250BMTBC | NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE | Canale N | MOSFET (ossido di metallo) | 100 V | 0 - Immediatamente | $6.68 | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2025-06-18
Svizzera