STMicroelectronics

MOSFET 600 V MDmesh™ M2

STMicroelectronics offre i MOSFET 600 V MDmesh M2 per applicazioni industriali

Immagine dei MOSFET 600 V MDmesh DM2 di STMicroelectronicsSTMicroelectronics presenta l'ultima serie di MOSFET con diodo a recupero rapido ad alta efficienza dotati di carica di recupero (Qrr) molto bassa e tempo di recupero (trr) ottimizzato per le topologie a ponte intero e semiponte ad alta tensione che richiedono elevate prestazioni di commutazione. Questi dispositivi a 600 V sono anche dotati di un Qg estremamente basso, bassissimi livelli di Coss/Ciss, resistenza nello stato On molto bassa e alta robustezza dV/dt.

Caratteristiche principali
  • Recupero rapido del body diode
  • Carica del gate e capacitanza di ingresso estremamente basse
  • Bassa resistenza nello stato On
  • Carica di recupero (Qrr) e tempo di recupero (trr) molto bassi
  • Testato a valanga al 100%
  • Robustezza dV/dt estremamente alta
  • Protetto da Zener

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247508 - Immediatamente$4.84Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247917 - Immediatamente$8.56Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 12A TO220STP18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO220880 - Immediatamente$1.52Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK1212 - Immediatamente$2.42Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247602 - Immediatamente$2.89Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2016-02-24

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