Gate driver a canale singolo STGAP2GS/STGAP2GSN

STGAP2GS e STGAP2GSN di STMicroelectronics sono gate driver a canale singolo con isolamento galvanico per transistor di potenza GaN in modalità potenziata in contenitore SO8 a corpo largo e SO8 standard, che offrono il driver isolato adatto per il GaN in un ingombro compatto sfruttando la più recente tecnologia di isolamento galvanico. Il gate driver ha una capacità di corrente di 2 A source e 3 A drain e uscite rail-to-rail, che lo rendono idoneo per applicazioni a media e alta potenza, come la conversione di potenza e gli inverter di driver per motori in applicazioni industriali.

L'immunità ai transitori dV/dt è di ±100 V/ns nell'intero intervallo di temperatura, garantendo una notevole robustezza rispetto ai transitori di tensione. Il dispositivo è disponibile nelle opzioni per la configurazione di drain e source separati per facilitare il pilotaggio del gate e ottimizzare l'accensione e lo spegnimento indipendenti utilizzando resistori indipendenti.

Il dispositivo integra funzioni di protezione, quali l'arresto termico, che abbassa l'uscita del driver quando la temperatura di giunzione raggiunge una soglia stabilita, e UVLO con un livello ottimizzato per i FET GaN in modalità potenziata, che consente di semplificare la progettazione di sistemi ad alta efficienza e affidabilità. I doppi pin di ingresso consentono la selezione del controllo della polarità del segnale e l'implementazione della protezione di interblocco HW per evitare la conduzione incrociata.

Il ritardo di propagazione da ingresso a uscita è contenuto entro 45 ns, fornendo alta precisione del controllo PWM. È disponibile una modalità standby per ridurre il consumo energetico a riposo. Gli ingressi logici compatibili CMOS/TTL fino a 3,3 V garantiscono un'interfaccia diretta con microcontroller e periferiche DSP.