Gate driver singolo a isolamento galvanico per MOSFET SiC STGAP2SiCS

STGAP2SiCS di STMicroelectronics è un gate driver ad alta tensione (fino a 1200 V) realizzato con tecnologia BCD6s. È incluso nell'isolamento galvanico a 6 kV tra il canale di pilotaggio del gate e il controllo a bassa tensione e il circuito di interfaccia. È incluso nella famiglia ad isolamento galvanico di 6 kV in un contenitore compatto. L'uscita del dispositivo può assorbire ed erogare fino a 4 A. La prevenzione della conduzione incrociata è assicurata da una funzione di interblocco. Il dispositivo ha pin di ingresso dedicati per ciascuna uscita. Gli ingressi logici sono compatibili con CMOS/TTL fino a 3,3 V per un'interfaccia semplice con i dispositivi di controllo. La corrispondenza del ritardo tra le sezioni high-side e low-side garantisce l'assenza di distorsioni cicliche e consente il funzionamento ad alta frequenza. STGAP2SiCS è disponibile in due configurazioni differenti. La configurazione con pin di uscita separato consente agli utenti di ottimizzare in modo indipendente l'accensione e lo spegnimento utilizzando un resistore di gate dedicato. La configurazione con un singolo pin di uscita e funzione Miller Clamp evita i picchi transitori durante le commutazioni veloci nelle topologie a semiponte.