I MOSFET da 40 V serie PerFET™ migliorano le prestazioni degli SMPS

La serie di MOSFET di potenza da 40 V a canale singolo e doppio PerFET di Taiwan Semiconductor è basata su strutture e processi di dispositivi proprietari che consentono una cifra di merito (FOM) di commutazione e una resistenza nello stato On (RDSon) eccezionalmente basse. Il raggiungimento del 50% di RDSon e la riduzione del 40% della FOM del dispositivo PerFET pone questo portafoglio all'avanguardia del settore in termini di prestazioni. La piattaforma PerFET a canale N da 40 V include opzioni per i requisiti di gate driver sia standard (10 V) che a livello logico (5 V), preservando al contempo un robusto margine di area operativa sicura quando si verificano transitori di tensione di manovra e valanghe nelle applicazioni di commutazione.

Caratteristiche

• Riduzione del 50% della RDSon: perdite di potenza inferiori
• Miglioramento del 40% della FOM: migliori prestazioni di commutazione
• Conduttori con fianchi impregnabili: maggiore affidabilità dei giunti di saldatura e ispezione ottica automatizzata (AOI)
• Contenitori a canale singolo e doppio
• Prove UIS e R_g al 100%
• Qualificazione automotive AEC-Q: +175 °C T_{j (max)} ideale per applicazioni automotive e industriali; è disponibile la documentazione Production Part Approval Process (PPAP)
• Conformità globale dei materiali: a norma RoHS, senza alogeni (secondo IEC-61249-2-21), RAEE, REACH, California Prop. 65, test whisker JESD-201 classe 2 e altro