Diodi a barriera di Schottky SiC da 650 V ad ampio bandgap

I diodi a barriera di Schottky al carburo di silicio da 650 V di Taiwan Semiconductor sono adatti per applicazioni di conversione c.a./c.c., c.c./c.c. e c.c./c.a. ad alta efficienza. A differenza dei raddrizzatori di recupero veloci basati sul silicio, questi dispositivi SiC presentano perdite di commutazione trascurabili grazie alla bassa carica capacitiva (Q_C). Questo li rende adatti ad applicazioni di commutazione ad alta velocità, a vantaggio di progetti di circuiti con una maggiore densità di potenza, e sono in grado di ridurre le dimensioni complessive della soluzione.

I dispositivi SiC combinano diodi Schottky per una bassa caduta di tensione diretta e diodi a giunzione P-N per un'alta tensione di rottura inversa, rendendoli i migliori protettori per linee elettriche, pulsanti di controllo e cavi dati.