Texas Instruments

MOSFET di potenza NexFET™ a canale N CSD17581Q3A

Texas Instruments offre CSD17581Q3A, un MOSFET di potenza NexFET a canale N da 30 V in un contenitore VSONP di 3,3 x 3,3 mm

Immagine dello stadio di potenza NexFET™ a canale N CSD17581Q3A di Texas InstrumentsIl MOSFET di potenza NexFET 30 V, 3,2 mΩ, VSONP 3,3 x3,3 mm di Texas Instruments è progettato per ridurre al minimo le perdite in applicazioni di conversione della potenza. Queste includono convertitori buck sincroni a punto di carico per reti, telecomunicazioni e sistemi informatici, applicazioni di controllo motori e applicazioni di controllo di FET.

Caratteristiche
  • Bassi livelli Qg e Qgd
  • Bassa RDSon
  • Bassa resistenza termica
  • Effetto valanga
  • Senza piombo
  • A norma RoHS
  • Senza alogeni
  • Contenitore in plastica VSONP 3,3 x 3,3 mm

CSD17581Q3A N-Channel NexFET Power MOSFET

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSONCSD17581Q3ATMOSFET N-CH 30V 60A 8VSON9252 - Immediatamente$1.36Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 21A 8VSONCSD17581Q3AMOSFET N-CH 30V 21A 8VSON6830 - Immediatamente$0.98Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2017-01-11

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