Stadio di potenza a semiponte GaN da 100 V e 35 A LMG2100R044

LMG2100R044 di Texas Instruments è uno stadio di potenza a semiponte da 100 V e 35 A ad alte prestazioni che integra due FET GaN in modalità potenziata da 4,4 mΩ e un driver ad alta velocità. Progettato per la conversione di potenza ad alta efficienza e alta densità, questo dispositivo è ideale per le applicazioni che richiedono commutazione rapida, basse perdite e layout PCB compatti.

Con una tensione nominale continua di 90 V e impulsiva di 100 V, LMG2100R044 supporta la commutazione ad alta velocità di variazione con sovraoscillazione minima, pertanto è adatto per i sistemi di erogazione di potenza più esigenti. Il driver integrato semplifica la progettazione e riduce il numero di componenti, mentre il contenitore compatto migliora le prestazioni termiche e la flessibilità del layout.

Questo dispositivo supporta livelli logici sia di 3,3 V che di 5 V e funziona con un'alimentazione di polarizzazione esterna di 5 V. È ottimizzato per le topologie sincrone buck, boost e a semiponte in applicazioni quali gli alimentatori per telecomunicazioni, comunicazioni dati e industriali.