Stadio di potenza a semiponte GaN da 80 V LMG5200

Il dispositivo LMG5200 di Texas Instruments, un driver da 80 V, 10 A con stadio di potenza a semiponte GaN, fornisce una soluzione di stadio di potenza integrata con FET al nitruro di gallio (GaN) in modalità potenziata. Il dispositivo è costituito da due FET GaN da 80 V pilotati da un driver FET GaN ad alta frequenza in una configurazione a semiponte.

I FET GaN offrono vantaggi significativi per la conversione di potenza in quanto offrono recupero inverso prossimo allo zero e capacitanza di ingresso C_ISS molto piccola. Tutti i dispositivi sono montati su una piattaforma del contenitore completamente libera da conduttori con elementi parassiti del contenitore ridotti al minimo. Il dispositivo LMG5200 è disponibile in un contenitore senza piombo 6 x 8 x 2 mm e può essere facilmente montato sulle PCB.

Gli ingressi compatibili con la logica TTL possono sopportare le tensioni di ingresso fino a 12 V, indipendentemente dalla tensione V_CC. La tecnica proprietaria di tenuta di tensione bootstrap assicura che le tensioni di gate dei FET GaN in modalità potenziata siano entro un intervallo di funzionamento sicuro.

Il dispositivo estende i vantaggi dei FET GaN discreti offrendo un'interfaccia più facile da usare. Si tratta di una soluzione ideale per applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta frequenza e alta efficienza in un fattore di forma compatto. Quando utilizzato con il controller TPS53632G, LMG5200 consente la conversione diretta da 48 V a tensioni punto di carico (da 0,5 a 1,5 V).