Gate driver isolato a canale singolo UCC21750 per SiC/IGBT

Il gate driver a canale singolo con isolamento galvanico UCC21750 di Texas Instruments è progettato per MOSFET SiC e IGBT con tensione di funzionamento fino a 2.121 V_c.c. e funzioni di protezione avanzate, prestazioni dinamiche di prim'ordine e robustezza. UCC21750 ha corrente di source e drain di picco fino a ±10 A. Il lato di ingresso è isolato dal lato di uscita con tecnologia di isolamento capacitivo SiO₂, supporta una tensione di lavoro fino a 1,5 kV_RMS, immunità ai picchi transitori di 12,8 kV_PK con durata della barriera di isolamento superiore a 40 anni, e offre basso skew parte-parte e immunità al rumore di modo comune (CMTI) superiore a 150 V/ns.

UCC21750 include funzionalità di protezione all'avanguardia come rilevamento rapido di sovracorrente e cortocircuito, supporto del rilevamento della corrente di shunt, segnalazione guasti, clamping di Miller attivo e UVLO sull'alimentazione lato ingresso e uscita per ottimizzare la robustezza e il comportamento di commutazione di SiC e IGBT. Il sensore da analogico a PWM isolato può essere utilizzato per un più facile rilevamento della temperatura e della tensione, aumentando la versatilità del driver e semplificando costi, dimensioni e impegno di progettazione del sistema.