Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET DTMOS VI in contenitore TOLL

I MOSFET di Toshiba sono ideali per le applicazioni di alimentatori a commutazione

Immagine dei MOSFET DTMOSVI di Toshiba in contenitore TOLLI MOSFET DTMOSVI ad alta tensione di Toshiba sono dotati di una bassa resistenza nello stato On (RDS(ON)) di drain/source e di proprietà di commutazione ad alta velocità con bassa capacità. Ciò li rende ideali per applicazioni di alimentatori a commutazione. Questo DTMOS VI di ultima generazione offre la cifra di merito DS(ON) x QGD più bassa ed è ospitato nel nuovo contenitore TOLL con una connessione di sorgente Kelvin per ridurre le perdite di accensione e spegnimento.

Caratteristiche
  • Riduzione dei costi
  • Ampia gamma di resistenze nello stato ON e opzioni di confezionamento
  • Cifra di merito (RDS(ON) x QGD) più bassa offerta da DTMOS VI
  • Stabile resistenza nello stato ON a temperature più elevate
  • Libertà di scelta e flessibilità su contenitori e linea di RDS(ON)
  • DTMOS VI per una commutazione ad altissima efficienza a livello di alimentatore
  • Ridotta generazione di calore
  • Minori costi dei componenti passivi
  • Maggiore densità di potenza
Applicazioni
  • Data center, inverter fotovoltaici e UPS
  • Alimentatori a commutazione
  • Illuminazione
  • Correzione del fattore di potenza
  • Elettronica industriale

DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ5932 - Immediatamente$5.10Vedi i dettagli
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ1008 - Immediatamente$3.68Vedi i dettagli
DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZTK155U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ0 - Immediatamente$3.50Vedi i dettagli
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ0 - Immediatamente$5.90Vedi i dettagli
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ1676 - Immediatamente$7.10Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2021-05-04

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