Semiconduttori discreti a bassa potenza per l'Internet delle cose (IoT)

Per tenere il passo con i prodotti di rapida introduzione nel mercato, è importante che i componenti in una piattaforma di IoT siano facili da progettare e siano sempre subito disponibili. Toshiba offre un'ampia gamma di componenti discreti, ideale per il prossimo progetto a piccolo fattore di forma dell'utente, con prestazioni e basso consumo energetico leader del settore.

LDO: il tempo di esercizio del dispositivo è di primaria importanza quando è alimentato da una cella o batteria a bottone agli ioni di litio. L'LDO a bassa quiescenza TCR3UGxx di Toshiba può fornire un rail a 1,2/1,8/2,5 V necessario con una corrente di quiescenza minima (inferiore a 0,4 µA tipico) e con precisione della tensione dell'1%. Carico transitorio, PSRR e rumore sono anche eccellenti.

Interruttore di carico in CI: l'interruttore di carico integrato come TCK107AG può fornire interruttori di alimentazione semplici con una corrente di quiescenza minima (110 µA tipico) e offrono il controllo di livello di logica per la potenza della batteria. Toshiba semplifica i MOSFET a canale N e P per pull-up semplice o applicazioni di pull-down

Protezione ESD: i danni ESD sono una causa comune dei resi e di problemi non diagnosticabili dei sistemi. I diodi ESD di Toshiba offrono protezione leader del settore e sono idonei per i punti di contatto esposti, che si tratti di un rail di alimentazione, un pulsante, una porta USB o un'antenna RF.

MOSFET: i MOSFET di Toshiba offrono livelli eccezionalmente bassi di RDSon in un contenitore compatto. La bassa RDSon consente a un sistema di rimanere freddo, di caricarsi rapidamente e durare più a lungo tra cicli di ricarica.

Sensore di campo magnetico: i MOSFET di Toshiba offrono livelli eccezionalmente bassi di RDSon in un contenitore compatto. La bassa RDSon consente al sistema di rimanere freddo, di caricarsi rapidamente e durare più a lungo tra cicli di ricarica.

Diagramma a blocchi del modulo IoT