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MOSFET a bassa tensione UMOS 11
I MOSFET a bassa tensione UMOS11 di Toshiba offrono una commutazione efficiente, basse perdite e un design più intelligente
Il processo UMOS-11 a bassa tensione di Toshiba è stato progettato per aiutare gli ingegneri a soddisfare le crescenti esigenze in termini di efficienza energetica, design compatto e prestazioni di commutazione affidabili.
Costruito su una struttura Trench migliorata, UMOS 11 offre RDSon più bassa, Qoss e QRR ridotte e un migliore comportamento di commutazione complessivo, che lo rendono particolarmente adatto per applicazioni che vanno da comandi di motori e convertitori c.c./c.c. e ad alimentatori per server e altri alimentatori a commutazione.
Questo processo coprirà un'ampia gamma di tensioni e contenitori, da 40 V a 100 V, in contenitori da 5 x 6 mm e 3 x 3 mm.
Caratteristiche
- La resistenza nello stato On più bassa nella famiglia è di 0,52 mΩ (max) (VGS = 10 V)
- Bassa RDSon x QOSS e bassa RDSon x QRR
- Alta efficienza negli alimentatori a commutazione
- Tensione di soglia stretta per un funzionamento affidabile
- Il diodo ad alta velocità incorporato offre una migliore perdita di recupero inverso
- Funzionamento ad alta temperatura fino a +175 °C
Applicazioni
- Convertitori c.c./c.c.
- Alimentatori a commutazione (server di data center, apparecchiature di comunicazione e altro)
- Controllo motori
- Commutazione del carico
Risorse
UMOS 11 Low Voltage MOSFETs
| Immagine | Codice produttore | Descrizione | Quantità disponibile | Prezzo | Vedi i dettagli | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TPH2R70AR5,LQ | N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1 | 8830 - Immediatamente | $1.24 | Vedi i dettagli |
Data di pubblicazione: 2025-09-26
Svizzera