Schede e kit di valutazione SuperGaN®

Le schede e i kit di valutazione di Transphorm sono ideali per una varietà di applicazioni, quali telecomunicazioni e automotive

Immagine delle schede e dei kit di valutazione di TransphormIl portafoglio di dispositivi SuperGaN di Transphorm offre numerosi vantaggi, tra cui prestazioni e affidabilità eccellenti, nonché facilità di pilotaggio e progettazione. Grazie a questi vantaggi fondamentali, il portafoglio supporta un'ampia gamma di requisiti di conversione di potenza (da 45 W a oltre 10 kW) in una vasta gamma di applicazioni di alimentazione. Per questo motivo, Transphorm produce diverse schede di valutazione completamente popolate facili da usare per aiutare gli ingegneri a studiare i vantaggi dei FET GaN ad alta tensione dell'azienda.

Le schede di valutazione sono disponibili in varie topologie utilizzate nei sistemi di conversione di potenza c.a./c.c., c.c./c.a. e c.c./c.c.. Le schede hanno dimostrato di garantire un'efficienza media superiore al 99% in topologie quali PFC totem pole senza ponte, buck o boost sincrono a semiponte e altre ancora. Per aiutare gli ingegneri a massimizzare i loro sforzi di valutazione, le schede a più alta potenza sfruttano un PIM di alimentazione digitale dsPIC preprogrammato di Microchip Technology per semplificare lo sviluppo del firmware. Inoltre, con alcuni kit di valutazione è possibile utilizzare una scheda figlia che consente di scambiare e analizzare facilmente più FET di Transphorm a seconda dei requisiti di livello di potenza.

Caratteristiche
  • Potenza: da 4.000 W a 2,5 kW
  • Frequenza di commutazione: 65 ~ 66 kHz
  • Tensione di uscita: 390 V
  • Tensione di ingresso: da 85 Vc.a. a 265 Vc.a., da 47 Hz a 63 Hz
  • Corrente di ingresso: 18 ARMS (2000 W a 115 Vc.a., 4000 W a 230 Vc.a.)
  • Sovraccarico di breve durata del 10%: 19,8 ARMS (2200 W a 115 Vc.a., 4400 W a 230 Vc.a.)
  • Temperatura ambiente: <+50 °C
  • Tensione di uscita: da 387 Vc.c., ±5 Vc.c.
  • Frequenza PWM: 66 kHz
  • Alimentazione ausiliaria: 12 Vc.c. per tensione di polarizzazione
  • Costruito con FET SuperGaN Gen IV da 35 mΩ
  • Piattaforma di facile uso per studiare GaN
  • Offre un'efficienza superiore al 99% in un progetto più semplice
  • Offre agli ingegneri un modo più semplice per progettare sistemi di alimentazione c.a./c.c. monofase
Applicazioni
  • Telecomunicazioni
  • Automotive (veicoli elettrici)
  • Alimentatori per data center
  • Ampi alimentatori industriali
Data di pubblicazione: 2023-05-24