MOSFET discreti al carburo di silicio da 1.200 V

I MOSFET al carburo di silicio da 1.200 V di Wolfspeed stabiliscono lo standard in termini di prestazioni, robustezza e facilità di progettazione. La commutazione estremamente veloce, la bassissima perdita di commutazione e la stabilità della perdita di conduzione nell'intervallo di temperatura assicurano un significativo miglioramento dell'efficienza del sistema, della densità di potenza e del costo complessivo in distinta base rispetto agli attuali MOSFET e IGBT al silicio. Sono progettati per ottimizzare applicazioni ad alta potenza quali gruppi di continuità (UPS), comandi di motori, alimentatori a commutazione (SMPS), energie rinnovabili, caricabatterie veloci per veicoli elettrici e altro ancora. 

Abbinati ai diodi Schottky SiC da 1.200 V, questi MOSFET creano una potente combinazione per una maggiore efficienza nelle applicazioni con requisiti rigorosi. Gli utenti possono valutare e ottimizzare le prestazioni di commutazione dinamica ad alta velocità della Piattaforma di valutazione modulare SpeedVal Kit™ per MOSFET SiC di Wolfspeed.