IGBT

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IGBT


Gli IGBT (transistor bipolari a gate isolato) sono dispositivi semiconduttori multistrato con tre terminali a commutazione rapida in grado di gestire correnti elevate. Sono caratterizzati da tipo, tensione di rottura collettore-emettitore, corrente del collettore, corrente del collettore pulsata, VCE(ON), energia di commutazione e carica del gate.