EPC2001 EPC | Prodotti a semiconduttore discreti

EPC2001 è obsoleto e non è più in produzione.

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EPC

In magazzino: 50’318

Prezzo unitario : Fr. 4.78000

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EPC2001
Codice DigiKey	917-1014-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2001
Descrizione	GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 25 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	EPC
Serie	eGaN®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	25 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	7mohm a 25A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	950 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 125°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Stampo
Contenitore/involucro	Stampo
Codice componente base	EPC20