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FDMS8670S | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDMS8670STR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS8670S |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 20 A (Ta), 42 A (Tc) 2,5W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,5mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 73 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4000 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 78W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (5x6) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |







