SPB04N60C3ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 2.31000
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In magazzino: 450
Prezzo unitario : Fr. 4.45000
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In magazzino: 1’000
Prezzo unitario : Fr. 0.61918
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In magazzino: 1’000
Prezzo unitario : Fr. 3.88000
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STMicroelectronics
In magazzino: 3’569
Prezzo unitario : Fr. 1.80000
Scheda tecnica
Canale N 650 V 4,5 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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SPB04N60C3ATMA1

Codice DigiKey
SPB04N60C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SPB04N60C3ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 4,5 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,9V a 200µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
490 pF @ 25 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
950mohm a 2,8A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
STB9NK80ZSTMicroelectronics0497-13936-1-NDFr. 2.31000Diretto
IRFBC40ASTRLPBFVishay Siliconix450IRFBC40ASTRLPBFCT-NDFr. 4.45000Simile
R6004KNJTLRohm Semiconductor1’000R6004KNJTLCT-NDFr. 0.61918Simile
STB10NK60ZT4STMicroelectronics1’000497-6544-1-NDFr. 3.88000Simile
STB6N60M2STMicroelectronics3’569497-13934-1-NDFr. 1.80000Simile
Obsoleto
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