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SPB04N60C3ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPB04N60C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SPB04N60C3ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 4,5 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 200µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 490 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 950mohm a 2,8A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STB9NK80Z | STMicroelectronics | 0 | 497-13936-1-ND | Fr. 2.31000 | Diretto |
| IRFBC40ASTRLPBF | Vishay Siliconix | 450 | IRFBC40ASTRLPBFCT-ND | Fr. 4.45000 | Simile |
| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | 1’000 | R6004KNJTLCT-ND | Fr. 0.61918 | Simile |
| STB10NK60ZT4 | STMicroelectronics | 1’000 | 497-6544-1-ND | Fr. 3.88000 | Simile |
| STB6N60M2 | STMicroelectronics | 3’569 | 497-13934-1-ND | Fr. 1.80000 | Simile |





