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AO6601 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1076-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AO6601 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 3,4 A, 2,3 A 1,15W A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 285pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,15W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Complementare canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro SC-74, SOT-457 |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 6-TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,4 A, 2,3 A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 3,4A, 10V |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 18 | DMG6601LVT-7DICT-ND | Fr. 0.40000 | Simile |
| DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 2’780 | DMG6602SVT-7DICT-ND | Fr. 0.40000 | Simile |
| FDC6327C | onsemi | 10’068 | FDC6327CCT-ND | Fr. 1.07000 | Simile |
| SI3590DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 9 | SI3590DV-T1-E3CT-ND | Fr. 1.08000 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.13461 | Fr. 403.83 |
| 6’000 | Fr. 0.12597 | Fr. 755.82 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.13461 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.14551 |
