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AO6602L | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1077-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AO6602L |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 1,15W A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,5nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 240pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,15W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Complementare canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro SC-74, SOT-457 |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 6-TSOP |
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 3,1A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AO6608 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 9’926 | 785-1787-1-ND | Fr. 0.69000 | Simile |
| BSL308CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 10’504 | BSL308CH6327XTSA1CT-ND | Fr. 0.87000 | Simile |
| DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 18 | DMG6601LVT-7DICT-ND | Fr. 0.40000 | Simile |
| DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 2’780 | DMG6602SVT-7DICT-ND | Fr. 0.40000 | Simile |
| DMG6602SVTQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMG6602SVTQ-7DICT-ND | Fr. 0.43000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.15440 | Fr. 463.20 |
| 6’000 | Fr. 0.14876 | Fr. 892.56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.15440 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.16691 |
