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Canale N 80 V 13 A (Ta), 70 A (Tc) 2,1W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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AOB286L

Codice DigiKey
AOB286L-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOB286L
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 13 A (Ta), 70 A (Tc) 2,1W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
63 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3142 pF @ 40 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
5,7mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
CSD19501KCSTexas Instruments479296-37286-5-NDFr. 2.20000Simile
IPP80N08S406AKSA1Infineon Technologies0IPP80N08S406AKSA1-NDFr. 1.41684Simile
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.95853Fr. 766.82
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.95853
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.03617