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Canale N 75 V 10 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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AOB470L

Codice DigiKey
AOB470L-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOB470L
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 10 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
136 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±25V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5640 pF @ 30 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 268W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
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10,2mohm a 30A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (18)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOB288LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOB288L-NDFr. 0.76138Simile
BUK768R3-60E,118Nexperia USA Inc.4441727-7258-1-NDFr. 2.20000Simile
BUK9609-75A,118Nexperia USA Inc.01727-7189-1-NDFr. 1.15399Simile
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IRF1407STRLPBFInfineon Technologies3’208IRF1407STRLPBFCT-NDFr. 2.32000Simile
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.74979Fr. 599.83
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.74979
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.81052