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Canale N 500 V 5 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
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AOD5N50

Codice DigiKey
AOD5N50-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOD5N50
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 5 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±30V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
670 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252 (DPAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,6ohm a 2,5A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FDD5N50NZTMonsemi4’748FDD5N50NZTMCT-NDFr. 1.35000Simile
IRFR430APBFVishay Siliconix958IRFR430APBF-NDFr. 2.20000Simile
IRFR430ATRLPBFVishay Siliconix0IRFR430ATRLPBF-NDFr. 0.73779Simile
IRFR430ATRPBFVishay Siliconix1’748IRFR430ATRPBFCT-NDFr. 2.20000Simile
STD5N52K3STMicroelectronics0497-10957-1-NDFr. 1.54000Simile
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.29106Fr. 727.65
5’000Fr. 0.26924Fr. 1’346.20
7’500Fr. 0.25813Fr. 1’935.98
12’500Fr. 0.24564Fr. 3’070.50
17’500Fr. 0.23825Fr. 4’169.38
25’000Fr. 0.23175Fr. 5’793.75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.29106
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.31464