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AON2810 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1665-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AON2810 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 2A 2,5W A montaggio superficiale 6-DFN (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1,4V a 250µA |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 235pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2,5W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 6-DFN (2x2) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 44mohm a 2A, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-2690-1-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| SSM6N55NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 5’045 | 264-SSM6N55NU,LFCT-ND | Fr. 0.49000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18593 | Fr. 557.79 |
| 6’000 | Fr. 0.17106 | Fr. 1’026.36 |
| 9’000 | Fr. 0.16348 | Fr. 1’471.32 |
| 15’000 | Fr. 0.15497 | Fr. 2’324.55 |
| 21’000 | Fr. 0.14993 | Fr. 3’148.53 |
| 30’000 | Fr. 0.14504 | Fr. 4’351.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.18593 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.20099 |
