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AON6508 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1365-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AON6508 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 29 A (Ta), 32 A (Tc) 4,2W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2010 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 4,2W (Ta), 41W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,2mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AON6354 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3’787 | 785-AON6354CT-ND | Fr. 0.99000 | Diretto |
| BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | 24’063 | BSC0902NSIATMA1CT-ND | Fr. 1.18000 | Simile |
| BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | 2’073 | BSC0904NSIATMA1CT-ND | Fr. 1.13000 | Simile |
| CSD17301Q5A | Texas Instruments | 12’800 | 296-25795-1-ND | Fr. 1.98000 | Simile |
| CSD17305Q5A | Texas Instruments | 0 | 296-25855-1-ND | Fr. 1.32000 | Simile |







