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AON6576 | |
|---|---|
Codice DigiKey | AON6576-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AON6576 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 26 A (Ta), 32 A (Tc) 5W (Ta), 26W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1320 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 26W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,7mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT3004LFG-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMT3004LFG-7-ND | Fr. 0.26431 | Simile |
| RQ3E150BNTB | Rohm Semiconductor | 2’574 | RQ3E150BNTBCT-ND | Fr. 0.77000 | Simile |
| RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | 9’668 | RQ3E180AJTBCT-ND | Fr. 1.41000 | Simile |
| RQ3E180BNTB | Rohm Semiconductor | 4’938 | RQ3E180BNTBCT-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
| RQ3E180GNTB | Rohm Semiconductor | 1’441 | RQ3E180GNTBCT-ND | Fr. 0.91000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.19315 | Fr. 579.45 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.19315 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.20880 |
