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AOT12N60FDL è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
AOT12N60FDL | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-AOT12N60FDL-ND |
Produttore | |
Codice produttore | AOT12N60FDL |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 12 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante TO-220 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2010 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 650mohm a 6A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP850N80Z | onsemi | 571 | FCP850N80Z-ND | Fr. 2.90000 | Simile |
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | 4’630 | IRFB9N60APBF-ND | Fr. 2.99000 | Simile |
| IXFP10N60P | IXYS | 0 | IXFP10N60P-ND | Fr. 2.05407 | Simile |
| IXTP10N60P | IXYS | 0 | IXTP10N60P-ND | Fr. 1.97187 | Simile |
| SIHP7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP7N60E-E3-ND | Fr. 0.80977 | Simile |
Obsoleto
