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AOT8N65

Codice DigiKey
AOT8N65-ND
Produttore
Codice produttore
AOT8N65
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,15ohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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